适用于1.5μm集成电路量产的宽谱接触式光刻机。主要用于量产宽谱光刻胶的质量控制。
适用于500nm/650nm集成电路量产的g-线步进投影光刻机。主要用于量产G-line光刻胶的质量控制和新产品的研发测试。
适用于CD线宽不超过0.35μm集成电路量产的i-线步进投影光刻机。主要用于量产I-line光刻胶的质量控制和新产品的研发测试。
ArF浸没式光刻机，数值孔径(NA)高达1.35，适用于批量生产32nm以下的逻辑器件和40nm以下的存储器件。
适用于CD线宽110nm集成电路量产的Krf scanner 曝光机。主要用于量产Krf 光刻胶的质量控制和新产品研发。
适用于150mm的各种材料的工艺处理I线，248纳米，和193纳米的工艺能力全自动的匀胶、显影功能，层叠架构多层热处理模块，结构紧凑，高产能、高可靠性
电子扫描显微镜，用于曝光蚀刻后微细线条线宽的检查，具有自动图形识别、直径检测、多项目自动分析操作的技术功能，远高于光学显微镜的放大倍数。
日立S4800冷场发射扫描电子显微镜采用半内透镜设计,新型物镜采用专利的ExB设计。使用单检测器和超级ExB可以分别收集和分离单纯二次电子、混合二次电子及背散射电子的信号，可以适应不同样品的高分辨观测需求,是纳米级研究的必备工具。
光刻胶显影分析，是最先进的18频道冲洗速度分析评价装置，可以对光致抗蚀剂的显影速度进行评价。
是供实验使用的开放的架子曝光装置，配合LTJ-RDA-790使用。搭载Hg-Xe电灯，用过滤器可以用于248nm，365nm，436nm等波长的曝光。
适用于150mm的各种材料的工艺处理I线，248纳米，和193纳米的工艺能力全自动的匀胶、显影功能，层叠架构多层热处理模块，结构紧凑，高产能、高可靠性
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